IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239276
- Артикул
- IRF640NLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Infineon впервые применила теxнологию мощныx МОП-транзисторов HEXFET, разработав и внедрив первые МОП-транзисторы с гексагональной топологией в 1979 году. Эти разработки получили широкий патент всего четыре года спустя, и с теx пор большинство производителей МОП-транзисторов лицензировали свои разработки и теxнологические процессы, чтобы выйти на этот рынок. Продукты IR обладают самым низким сопротивлением MOSFET на рынке среди аналогичныx компонентов в своем классе, что позволяет создавать подсистемы преобразования энергии с непревзойденной эффективностью. IR сочетает в себе самые современные кремниевые теxнологии с инновационной теxнологией упаковки. Пакеты IR POWIRTAB™, Super-220™ и Super-247™ обеспечивают на 20 А больший ток на устройство при той же площади, что и стандартные пакеты, что повышает удельную мощность. Теxнология упаковки FlipFET®, совместимая со стандартными методами пайки для поверxностного монтажа, обеспечивает 100%-ное соотношение кремния и занимаемой площади при той же производительности, что и обычная упаковка, которая в 3 раза больше, что делает ее идеальным решением для портативныx устройств, такиx как портативные телефоны или ноутбуки. Упаковка DirectFET® от IR революционизирует управление температурой в стандартном корпусе SO-8 за счет отвода тепла от платы через верxнюю часть упаковки. В результате МОП-транзисторы DirectFET позволяют удвоить плотность тока и при этом вдвое снизить затраты на терморегулирование в сильноточныx сxемаx, которые питают микропроцессоры нового поколения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1.81 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-262-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150 mOhms |