Моя заявка (0)
IRF634PBF, MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006230889
Артикул
IRF634PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 207 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 5,1А, 74Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г3.5
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Корпусto220
ConfigurationSingle
Package Width4.7(Max)
Package Length10.41(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologyHEXFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)19
Typical Rise Time (ns)21
Особенностимощный полевой
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)74000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)41(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)41(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)9.6
Maximum Drain Source Voltage (V)250
Typical Turn-Off Delay Time (ns)42
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)8.1
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)770@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)450@10V
Крутизна характеристики, S1.6
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация