Моя заявка (0)

IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 200 В; 5,7 А; Idm: 36A; 74 Вт

IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 200 В; 5,7 А; Idm: 36A; 74 Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010485594
Артикул
IRF630SPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
D2PAK, TO263
Mounting
SMD
Вес, г
1
Длина
10.67 mm
Цена по запросу
(от 148 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA

Технические параметры

CaseD2PAK, TO263
MountingSMD
Вес, г1
Длина10.67 mm
СерияIRF
Gate charge43nC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Высота4.83 mm
Ширина9.65 mm
Drain current5.7A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
УпаковкаTube
Power dissipation74W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.4Ω
Drain-source voltage200V
Pulsed drain current36A
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора43 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности74 W
Id - непрерывный ток утечки9 A
Крутизна характеристики, S3.8
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.13Ω@10V, 22A

Техническая документация