IRF620SPBF, Транзистор силовой полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074717717
- Артикул
- IRF620SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- RDS-on
- 800@10V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
- Вес, г
- 2.34
- Длина
- 10.67 mm
Цена по запросу
(от 218,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA
Технические параметры
| RDS-on | 800@10V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Вес, г | 2.34 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | IRF |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка | Tube |
| Typical Fall Time | 13 ns |
| Typical Rise Time | 22 ns |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.2 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |