Моя заявка (0)

IRF620PBF-BE3, Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

IRF620PBF-BE3, Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008936739
Артикул
IRF620PBF-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Серия
IRF
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET

Технические параметры

Вес, г1
СерияIRF
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220AB-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора14 nC
Время нарастания22 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности50 W
Другие названия товара №IRF620PBF
Id - непрерывный ток утечки5.2 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток800 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения19 ns
Типичное время задержки при включении7.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация