IRF610SPBF, Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009036737
- Артикул
- IRF610SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- Серия
- IRF
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-263
Цена по запросу
(от 308 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 200V 3.3 Amp
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Серия | IRF |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8.9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 8.2 nC |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.8 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом |