Моя заявка (0)
IRF610PBF-BE3, MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008592877
Артикул
IRF610PBF-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
22.68
Цена по запросу
(от 212 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 200 В 3,3А (Tc) 36 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-220AB

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г22.68
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)36W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.3A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация