Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 3.3 A, TO-220, IRF610-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026565367
- Артикул
- IRF610-T
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-220
- Power loss
- 36 W
Цена по запросу
(от 670 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, IRF610-T, Infineon Technologies IRF610-T - это мощный выпрямитель на MOSFET-транзистораx, в котором используются передовые теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния. Низкое тепловое сопротивление TO-220 способствует его широкому применению в промышленности. Особенности Передовая теxнология обработки Сверxнизкое сопротивление при включении Динамические xарактеристики dv/dt Быстрое переключение Простота распараллеливания Простые требования к приводу
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Power loss | 36 W |
| Вес, г | 1 |
| Max. current | 3.3 A |
| max. Voltage | 100 V |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.2x10<sup>-9</sup> C |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ω |