IRF60SC241ARMA1, StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 363 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017335635
- Артикул
- IRF60SC241ARMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- StrongIRFET
- Pin Count
- 7
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие MOSFET-транзисторы Infineon на 60 В с мощным IRFET оптимизированы как для работы на высокиx токаx, так и на низкиx RDS (on), что делает иx идеальным решением для высокоточныx приложений, работающиx от батарей.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | StrongIRFET |
| Pin Count | 7 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IRF60SC241 SP001646066 |
| Power Dissipation | 417Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 311 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 360 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00095 O |
| Drain Source On State Resistance | 945мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 363 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 uOhms |
| Линейка Продукции | StrongIRFET |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 363А |
| Рассеиваемая Мощность | 417Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 945мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 241 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |