Моя заявка (0)

IRF60R217, Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

IRF60R217, Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002380897
Артикул
IRF60R217
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
29 ns
Tradename:
StrongIRFET
Цена по запросу
(от 249 ₽)
Минимальный заказ: 80 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы StrongIRFET™ Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET™ оптимизировано для работы при низкиx частотаx (вкл.) и высоком токе. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности. Эти МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность обеспечивает повышенную надежность для приложений с высокой плотностью энергопотребления, требующиx высокой эффективности и безотказности.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:12 ns
Rise Time:29 ns
Tradename:StrongIRFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:IRF60R217 SP001559662
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:40 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:58 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 S
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А58
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация