Моя заявка (0)

IRF60B217, Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

IRF60B217, Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047967599
Артикул
IRF60B217
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Material
Si
Цена по запросу
(от 226 ₽)
Минимальный заказ: 337 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 60V 60A с 3-контактным разъемом (3+ вкладки) TO-220AB Full-Pak Tube

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusLTB
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)
Package Length10.75(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB Full-Pak
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)37
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)83000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)44
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)44@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)8.3
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)24
Typical Gate to Drain Charge (nC)14
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.7
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)60
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2230@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)9@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)7.3@10V|9@6V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация