IRF540ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239159
- Артикул
- IRF540ZPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 42 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 4.69mm
- P(tot)
- 92 W
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 220 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 36А, 92Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 42 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 4.69mm |
| P(tot) | 92 W |
| Series | HEXFET |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1.64 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 26.5 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 36 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | Fast Switching |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 92 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |