IRF540NPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 33А, 140Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070074064
- Артикул
- IRF540NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
- Вес, г
- 2.01
- Длина
- 10.54мм
- Заряд
- затвора(Qg)-71 нКл
Цена по запросу
(от 122,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 33А, 140Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал |
| Вес, г | 2.01 |
| Длина | 10.54мм |
| Заряд | затвора(Qg)-71 нКл |
| Серия | HEXFET |
| Высота | 8.77мм |
| Ширина | 4.69мм |
| Размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-130 Вт |
| Описание | 100V, 33A |
| Упаковка | Tube |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Тип канала | N |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Производитель | Infineon |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-44 мОм |
| Температура, С | -55…+175 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 47.3 nC |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-33 A |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A |
| Материал транзистора | Кремний |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Другие названия товара № | SP001561906 |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-100 В; затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 A |
| Типичное время задержки выключения | 39 нс |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 44 мΩ |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |