Моя заявка (0)

HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF540NLPBF

HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF540NLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014488535
Артикул
IRF540NLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
7
Цена по запросу
(от 197,26 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF540NLPBF от известного производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET элемент в корпусе TO262, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот транзистор характеризуется током стока до 33 А и напряжением сток-исток на уровне 100 В, что делает его отличным выбором для силовой электроники. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,044 Ом, обеспечивая высокую эффективность и низкие потери мощности в цепи. Продукт с кодом IRF540NLPBF идеально подходит для широкого спектра применений, включая источники питания, моторные управления и другие задачи, где требуется надежный и мощный полевой транзистор. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 33 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 140 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.044 Корпус TO262

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeI2PAK(TO-262)
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation130 W
Typical Gate Charge @ Vgs71 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance44 mΩ
Maximum Continuous Drain Current33 A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация