Моя заявка (0)
IRF530STRR Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059880078
Артикул
IRF530S
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 56 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; D2PAK

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1.47
СерияIRF
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
УпаковкаTube
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-263
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Fall Time (ns)24
Typical Rise Time (ns)34
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Maximum Power Dissipation (mW)3700
Qg - заряд затвора26 nC
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)26(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)14
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)670 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)160 10V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности88 W
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V

Техническая документация