IRF530NS-VB, 100V 20A 100mOhm@10V,20A N Channel TO-263-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017571476
- Артикул
- IRF530NS-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.18
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 88,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100В 20А 100 Мом при 10 В, 20А N-канальный TO-263-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.18 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | Fast Switching |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100mΩ@10V, 20A |