Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025237494
Артикул
IRF530NS-JSM
Бренд
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
Вес, г
1.63
Корпус
TO-263
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
110W
Цена по запросу
(от 68,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.63
КорпусTO-263
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)110W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)33A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)30mΩ@10V, 15A