Моя заявка (0)

IRF530NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 17А, 79Вт, TO220AB

IRF530NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 17А, 79Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017538884
Артикул
IRF530NPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.69mm
Series
HEXFET
Тип
МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
Version
N channel
Цена по запросу
(от 51,26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 17А, 79Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.69mm
SeriesHEXFET
ТипМОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
VersionN channel
AssemblyTHT
EnclosureTO-220
Pin Count3
Power loss70 W
Вес, г1.95
Зарядзатвора(Qg)-37 нКл
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Max. current17 A
Package TypeTO-220AB
max. Voltage100 V
Mounting TypeThrough Hole
Мощностьрассеиваемая(Pd)-70 Вт
Описание100V, 17A
УпаковкаTUBE, 100 шт.
Transistor MaterialSi
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
Gate Charge Qg @10V (nC)3.7x10<sup>-8</sup> C
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation70 W
Typical Gate Charge @ Vgs37 nC @ 10 V
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
Сопротивлениесток-исток открытого транзистора(Rds)-90 мОм
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance90 mΩ
Максимальный токId-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-17 A
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current17 A
Заряд затвора, нКл37
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А17
Максимально допустимое напряжениесток-исток(Vds max)-100 В; затвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во59*41*28/1500
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм90

Техническая документация