Силовой транзистор IRF5305STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036621782
- Артикул
- IRF5305STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 42 nC
- V(DS)
- 55 V
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 112 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Q(g) | 42 nC |
| V(DS) | 55 V |
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Package | D2PAK |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 2.14 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 60 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 31 A |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 60 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |