IRF5305S, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-263.]
![IRF5305S, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-263.]](https://static.epl-electro.ru/lib/395/DOC009395421.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001444719
- Артикул
- IRF5305S
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-263
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 68,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055Ом |