IRF5305PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -31А, 110Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538883
- Артикул
- IRF5305PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.69mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 86,05 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -31А, 110Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.69mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.93 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT PCh-55V-31A 60mOhm 42nC |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 1200 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 63 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Время нарастания | 66 ns |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Заряд затвора, нКл | 63 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Другие названия товара № | SP001564354 |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -31 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*40*43/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -55 |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 60 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 60 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |