Моя заявка (0)

IRF5210STRRPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRF5210STRRPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002238864
Артикул
IRF5210STRRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
P Channel
Цена по запросу
(от 405 ₽)
Минимальный заказ: 188 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 100V 38A 3-контактный(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
TypeP Channel
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle
Package Width9.65(Max)
Package Length10.67(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyHEXFET
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameTO-263
Power Dissipation (Pd)3.1W;170W
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)55
Typical Rise Time (ns)63
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)230nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.78nF@25V
Continuous Drain Current (Id)38A
Maximum Power Dissipation (mW)3100
Typical Gate Charge @ 10V (nC)150
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)150@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
Maximum Drain-Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)72
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)38
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2780@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)60@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация