Транзистор, -55…+150°С, IRF5210STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777666
- Артикул
- IRF5210STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 120 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 550 ₽)
Минимальный заказ: 8 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Q(g) | 120 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Package | D2PAK |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 2 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263(D2PAK) |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 60 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 38 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-3.8 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT PCh-100V-0.4A 60mOhm 120nC |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Емкость, пФ | 2780 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mО© @ 38A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 230 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3.1W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 38A |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -38 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/800 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 60 |