IRF520NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 9,7А, 48Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070103037
- Артикул
- IRF520NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 4.69mm
- Series
- HEXFETВ® ->
Цена по запросу
(от 82,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 9,7А, 48Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.69mm |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Package | Tube |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | N-Channel |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Power loss | 48 W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.94 |
| Длина | 10.54мм |
| Серия | HEXFET |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Max. current | 9.7 A |
| Package Type | TO-220AB |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| max. Voltage | 100 V |
| Высота | 8.77мм |
| Корпус | TO220AB |
| Ширина | 4.69мм |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-канал |
| Base Product Number | IRF520 -> |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Номер канала | Поднятие |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.7 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Материал транзистора | SI |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.7A (Tc) |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2.7 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 330 pF@ 25 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 48 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Типичное время задержки включения | 4.5 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,7 А |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 200 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 200 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |