IRF510PBF-BE3, MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012528192
- Артикул
- IRF510PBF-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 9.4 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 263 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 9.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 175 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IRF510PBF |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 540 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |