IRF510PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 43Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070103038
- Артикул
- IRF510PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 132,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 43Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.7mm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.98 |
| Серия | IRF |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.7(Max) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | IRF510 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9.4 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 9.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.3(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3(Max)@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.9 |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 180@25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 540@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.6 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 540 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.3 S |