IRF4905STRLPBF, Транзистор P-МОП, полевой, -55В, -74А, 200Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070145957
- Артикул
- IRF4905STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.65mm
- Brand:
- Infineon/IR
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 321,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF4905STRLPBF от производителя INFINEON – это высокопроизводительный компонент, предназначенный для сборки на поверхность (SMD-монтаж). С током стока 74 А и напряжением сток-исток 55 В, он способен рассеивать мощность до 200 Вт. Этот N-MOSFET транзистор обеспечивает отличную эффективность и надежность в широком спектре электронных применений. Устройство заключено в прочный корпус D2PAK, что обеспечивает удобство в установке и долговечность в эксплуатации. Используйте IRF4905STRLPBF для повышения производительности вашей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 74 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 200 Корпус D2PAK
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Brand: | Infineon/IR |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 64 ns |
| Rise Time: | 99 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.71 |
| Длина | 10.67мм |
| Серия | HEXFET |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 4.83мм |
| Ширина | 9.65мм |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IRF4905STRLPBF SP001559632 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-170 Вт |
| Описание | P-Channel 55 V 42A(Tc)170W(Tc)Surface Mount D2PAK |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Тип канала | A, P |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Емкость, пФ | 3500 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 42A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Power Dissipation (Max) | 170W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Производитель | Infineon |
| Температура, С | -55…+175 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20mО© @ 42A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 180 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 170W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Крутизна характеристики S,А/В | 19 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 120 нКл |
| Типичная входная емкость при Vds | 3500 pF @ -25 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 170 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 42 |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 70 A |
| Типичное время задержки выключения | 51 нс |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/800 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 20 МОм |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 20 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |