IRF4905PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -74А, 200Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538877
- Артикул
- IRF4905PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- HEXFETВ® ->
- Тип
- МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал
Цена по запросу
(от 91,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -55В, -74А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 P-канал |
| Package | Tube |
| Version | P-channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | P-Channel |
| Enclosure | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Power loss | 200 W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.98 |
| Заряд | затвора(Qg)-180 нКл |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Max. current | -74 A |
| Package Type | TO-220AB |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| max. Voltage | -55 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Описание | 55V, 74A |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | IRF4905 -> |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 3400 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 38A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.8x10<sup>-7</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-20 мОм |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-74 A |
| Тип проводимости | P |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Заряд затвора, нКл | 180 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 74A (Tc) |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 20 mΩ |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -74 |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 20 |