IRF4905LPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -55В, -74А, 200Вт, TO262
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070147219
- Артикул
- IRF4905LPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.56
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 295,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.56 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |