IRF4905LPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -55В, -74А, 200Вт, TO262
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043696141
- Артикул
- IRF4905LPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.56
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF4905LPBF от производителя INFINEON - надёжный компонент для мощных схем. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET транзистор выдерживает ток стока до 74 А и напряжение между стоком и истоком 55 В, что делает его идеальным для высоконапряженных применений. С мощностью в 200 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,02 Ом, он обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями мощности. Корпус TO262 гарантирует удобство монтажа и надёжность использования в различных устройствах. Обратите внимание на модель IRF4905LPBF, если вам требуется компонент с высокими рабочими характеристиками. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 74 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 200 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.02 Корпус TO262
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.56 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |