Моя заявка (0)
IRF4905LPBF, MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005401833
Артикул
IRF4905LPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
2.37
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 319,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF4905LPBF от производителя INFINEON - надёжный компонент для мощных схем. Монтируемый через отверстия (THT), этот N-MOSFET транзистор выдерживает ток стока до 74 А и напряжение между стоком и истоком 55 В, что делает его идеальным для высоконапряженных применений. С мощностью в 200 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,02 Ом, он обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями мощности. Корпус TO262 гарантирует удобство монтажа и надёжность использования в различных устройствах. Обратите внимание на модель IRF4905LPBF, если вам требуется компонент с высокими рабочими характеристиками. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 74 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 200 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.02 Корпус TO262

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г2.37
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeI2PAK(TO-262)
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3.8 W
Typical Gate Charge @ Vgs180 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance20 mΩ
Maximum Continuous Drain Current74 A
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)20мОм

Техническая документация