Моя заявка (0)

IRF40R207, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 64А, 83Вт, DPAK

IRF40R207, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 64А, 83Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070057494
Артикул
IRF40R207
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
DPAK
Type
1PCSNChannel
Mounting
SMD
Technology
HEXFET®
Цена по запросу
(от 82,44 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TRENCH <= 40V

Технические параметры

CaseDPAK
Type1PCSNChannel
MountingSMD
TechnologyHEXFET®
Вес, г0.41
Длина6.5 mm
Gate charge45nC
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypeDPAK
Polarisationunipolar
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Drain current64A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
Power dissipation83W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.1mΩ
Drain-source voltage40V
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Power Dissipation (Pd)83W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)68nC@10V
Торговая маркаInfineon/IR
Упаковка / блокTO-252-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.11nF@25V
Maximum Drain Source Voltage2.2 V
Continuous Drain Current (Id)56A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора68 nC
Время нарастания35 ns
Maximum Continuous Drain Current90 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки90 A
Коммерческое обозначениеStrongIRFET
Размер фабричной упаковки2000
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+175 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении7.8 ns

Техническая документация