IRF40R207, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 64А, 83Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538875
- Артикул
- IRF40R207
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- DPAK
- Type
- 1PCSNChannel
- Mounting
- SMD
- Technology
- HEXFET®
Цена по запросу
(от 85,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор TRENCH <= 40V
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Type | 1PCSNChannel |
| Mounting | SMD |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 0.41 |
| Длина | 6.5 mm |
| Gate charge | 45nC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | DPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Drain current | 64A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 83W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5.1mΩ |
| Drain-source voltage | 40V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 19 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 68nC@10V |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.11nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 2.2 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 56A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Время нарастания | 35 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Крутизна характеристики, S | 170 S |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@50uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 64 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.1mΩ@55A, 10V |