IRF3710STRLPBF, D2Pak (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051074167
- Артикул
- IRF3710STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Длина
- 6.5 mm
Цена по запросу
(от 163 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 57А, 200Вт, D2PAK
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 6.5 mm |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 2.3 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 47 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.023 Ω |
| Время нарастания | 58 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 32 S |