IRF3415PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 200Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062270755
- Артикул
- IRF3415PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 242,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1.96 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Емкость, пФ | 2400 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 133.3 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 43 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 200000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 200(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 200(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Заряд затвора, нКл | 200 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 150 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 43 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2400@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 42@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 43 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 43 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 150 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 42 |