Транзистор IRF3315SPBF Infineon Technologies
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072287428
- Артикул
- IRF3315SPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon/IR
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.3 mm
Цена по запросу
(от 1 040 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
СИЛОВОЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 21A I(D), 150 В, 0,082 ОМ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЙ, МЕТАЛЛ-ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Fall Time | 38 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 32 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 95 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3200 |
| Pd - Power Dissipation | 3.8 W |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Forward Transconductance - Min | 17 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 82 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |