Моя заявка (0)

IRF3205ZSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

IRF3205ZSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017548600
Артикул
IRF3205ZSTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1.71
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 94,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1.71
Длина10 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.4 mm
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада67 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора76 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0065 Ω
Время нарастания95 ns
Maximum Continuous Drain Current110 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности170 W
Другие названия товара №SP001559546
Id - непрерывный ток утечки110 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.71 S

Техническая документация