HEXFET N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin I2PAK IRF3205ZLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016466397
- Артикул
- IRF3205ZLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 459,18 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот мощный МОП-транзистор HEXFET использует новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 170W |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 75A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0065 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5mΩ@10V, 66A |