IRF3205STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 110А, 200Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070233168
- Артикул
- IRF3205STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.65mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 110А, 200Вт, D2PAK
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.73 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Описание | 55V, 110A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 200W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Заряд затвора, нКл | 146 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3247 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 110 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/800 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8 |