IRF3205PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, 200Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070058508
- Артикул
- IRF3205PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.69mm
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Version
- N channel
Цена по запросу
(от 184,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Width | 4.69mm |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 200 W |
| Вес, г | 1.94 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 110 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | 55 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Описание | 55V, 110A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.46x10<sup>-7</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8mО© @ 62A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 146 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 110A |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 110 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*31*26/6000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8 |