Моя заявка (0)
IRF3007STRLPBF, MOSFETs MOSFET 75V D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004743019
Артикул
IRF3007STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
HEXFET
Pin Count
3
Fall Time:
49 ns
Цена по запросу
(от 249,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon N-канальные МОП-транзисторы OptiMOS от Infineon разработаны для повышения эффективности, удельной мощности и экономичности.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesHEXFET
Pin Count3
Fall Time:49 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:80 ns
Вес, г3.95
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:120 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage75 V
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:62 A
Maximum Gate Threshold Voltage20V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:180 S
Maximum Drain Source Resistance0.0126 O
Maximum Continuous Drain Current62 A
Rds On - Drain-Source Resistance:10.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация