Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRF2807STRLPBF

HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRF2807STRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014553048
Артикул
IRF2807STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
D2PAK
Series
HEXFET
Mounting
SMD
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF2807STRLPBF от производителя INFINEON – это высокопроизводительный компонент для современной электроники. Модель предназначена для монтажа на поверхность (SMD) и гарантирует эффективную работу с током стока до 82 А и напряжением сток-исток 75 В. Мощность транзистора достигает 200 Вт, что позволяет использовать его в мощных устройствах. Тип N-MOSFET указывает на канал N-типа, что является стандартом для силовой электроники. Корпус D2PAK обеспечивает удобную интеграцию в различные схемы. Продукт IRF2807STRLPBF обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 82 Напряжение сток-исток, В 75 Мощность, Вт 200 Корпус D2PAK

Технические параметры

CaseD2PAK
SeriesHEXFET
MountingSMD
Pin Count3
TechnologyHEXFET®
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Polarisationunipolar
Drain current82A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel
Power dissipation200W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Drain-source voltage75V
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage75 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.013 Ω
Maximum Continuous Drain Current82 A
Крутизна характеристики, S3.8
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А82
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация