HEXFET N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRF2807STRLPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553048
- Артикул
- IRF2807STRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- D2PAK
- Series
- HEXFET
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF2807STRLPBF от производителя INFINEON – это высокопроизводительный компонент для современной электроники. Модель предназначена для монтажа на поверхность (SMD) и гарантирует эффективную работу с током стока до 82 А и напряжением сток-исток 75 В. Мощность транзистора достигает 200 Вт, что позволяет использовать его в мощных устройствах. Тип N-MOSFET указывает на канал N-типа, что является стандартом для силовой электроники. Корпус D2PAK обеспечивает удобную интеграцию в различные схемы. Продукт IRF2807STRLPBF обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 82 Напряжение сток-исток, В 75 Мощность, Вт 200 Корпус D2PAK
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Series | HEXFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 82A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel |
| Power dissipation | 200W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Drain-source voltage | 75V |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.013 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 82 A |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |