Моя заявка (0)
Транзистор полевой IRF2804PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061150219
Артикул
IRF2804PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
Power MOSFET
Width
4.83mm
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Цена по запросу
(от 180,89 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент надежныx N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторныx устройств для управления двигателями.

Технические параметры

TypePower MOSFET
Width4.83mm
SeriesHEXFET
ТипMOSFET
VersionN channel
AssemblyTHT
MountingThrough Hole
PolarityN
EnclosureTO-220
PackagingRail/Tube
Pin Count3
Power loss300 W
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Max. current75 A
Package TypeTO-220
Rad HardenedNo
max. Voltage40 V
Mounting TypeThrough Hole
Мощностьрассеиваемая(Pd)-300 Вт
ОписаниеMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Power Dissipation300(W)
Number of Elements1
Transistor MaterialSi
Drain-Source On-Volt40(V)
Operating Temp Range-55C to 175C
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-4В
Continuous Drain Current270(A)
Gate Charge Qg @10V (nC)1.6x10<sup>-7</sup> C
Transistor ConfigurationSingle
Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
Maximum Power Dissipation330 W
Typical Gate Charge @ Vgs160 nC @ 10 V
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance2 mΩ
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current280 A
Заряд затвора, нКл240
Operating Temperature ClassificationMilitary
drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V2.3 mΩ
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А280
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*51*51/500
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм2.3

Техническая документация