Моя заявка (0)

HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF2204PBF

HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRF2204PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034105916
Артикул
IRF2204PBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Длина
10 mm
Высота
15.65 mm
Корпус
TO-220AB
Цена по запросу
(от 637,03 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC

Технические параметры

Вес, г1
Длина10 mm
Высота15.65 mm
КорпусTO-220AB
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенностиавто применения.175 гр.с
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-220-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора130 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности330 W
Другие названия товара №SP001576552
Id - непрерывный ток утечки210 A
Крутизна характеристики, S120
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А210
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт330
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация