HEXFET MOSFET, 186 A, 150 V PG-TO247 IRF150P221AKMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973840
- Артикул
- IRF150P221AKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- Infineon Technologies
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 2 250,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon StrongIRFET оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов. Он отличается повышенной надежностью по сравнению с компонентами, рассчитанными на температуру до 150°C, и проверкой продукта в соответствии со стандартом JEDEC.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IRF150P221 SP005537806 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 341Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Process Technology | StrongIRFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 62 |
| Typical Rise Time (ns) | 90 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 341 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 186 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 80 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 80@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 23 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0036Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 186 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 16 |
| Линейка Продукции | StrongIRFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 186 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6000@75V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.6 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 186А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 186 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |