Моя заявка (0)
HEXFET MOSFET, 316 A, 150 V TO-247 IRF150P220AKMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031012822
Артикул
IRF150P220AKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
160 nC
Type
N Channel
V(DS)
150 V
P(tot)
556 W
Цена по запросу
(от 2 259,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon StrongIRFET оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличается повышенной надежностью по сравнению с деталями, рассчитанными на температуру до 150°C.

Технические параметры

Q(g)160 nC
TypeN Channel
V(DS)150 V
P(tot)556 W
PackageTO-247
R(thJC)0.27 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
AutomotiveNO
TechnologyStrongIR
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO247
Корпусto247
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V2.3 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C203 A
Power Dissipation556Вт
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)3.8W;556W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)200nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)12nF@75V
Maximum Drain Source Voltage150 V
Continuous Drain Current (Id)203A
Drain Source On State Resistance0.0023Ом
Линейка ПродукцииStrongIRFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока203А
Пороговое Напряжение Vgs4.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе4.6V@265uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А220
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.7mΩ@100A, 10V

Техническая документация