HEXFET MOSFET, 316 A, 150 V TO-247 IRF150P220AKMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012822
- Артикул
- IRF150P220AKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 160 nC
- Type
- N Channel
- V(DS)
- 150 V
- P(tot)
- 556 W
Цена по запросу
(от 2 259,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon StrongIRFET оптимизирован для обеспечения максимально широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличается повышенной надежностью по сравнению с деталями, рассчитанными на температуру до 150°C.
Технические параметры
| Q(g) | 160 nC |
| Type | N Channel |
| V(DS) | 150 V |
| P(tot) | 556 W |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 0.27 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Automotive | NO |
| Technology | StrongIR |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO247 |
| Корпус | to247 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 2.3 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 203 A |
| Power Dissipation | 556Вт |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;556W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 200nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 12nF@75V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 203A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0023Ом |
| Линейка Продукции | StrongIRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 203А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.6V@265uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.7mΩ@100A, 10V |