IRF1503SPBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048070372
- Артикул
- IRF1503SPBF
- Бренд
- International Rectifier
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 332 ₽)
Минимальный заказ: 246 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 30V 190A, 3-контактный (2 + язычка), трубка D2PAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max)mm |
| Package Length | 10.67(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 48 |
| Typical Rise Time (ns) | 130 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 130 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 130@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 59 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 190 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5730@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 3.3@10V |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 2.6@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |