HEXFET N-Channel MOSFET, 150 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRF1405ZPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014478396
- Артикул
- IRF1405ZPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF1405ZPBF от производителя INFINEON является высокопроизводительным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа в отверстия типа THT. Этот транзистор отличается высоким током стока в 150 А и устойчивостью к напряжению сток-исток до 55 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. С мощностью в 230 Вт и надежным корпусом TO220AB, IRF1405ZPBF обеспечивает долговечность и стабильность в широком диапазоне рабочих условий. Приобретая IRF1405ZPBF, вы получаете надежный компонент для эффективного управления мощностью в ваших электронных проектах. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 150 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 230 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| RoHS Compliant | Yes |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |