Моя заявка (0)

IRF1405STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 131А, 200Вт, D2PAK

IRF1405STRLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 131А, 200Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043829806
Артикул
IRF1405STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon/IR
Fall Time:
110 ns
Rise Time:
190 ns
Вес, г
0.43
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой N-канальный 55В 131A

Технические параметры

Brand:Infineon/IR
Fall Time:110 ns
Rise Time:190 ns
Вес, г0.43
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD²Pak
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IRF1405STRLPBF SP001571200
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:200 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage55 V
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:131 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:69 S
Maximum Continuous Drain Current131 A
Rds On - Drain-Source Resistance:5.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация