Моя заявка (0)
IRF1405STRLPBF, MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006223938
Артикул
IRF1405STRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon/IR
Fall Time:
110 ns
Rise Time:
190 ns
Вес, г
597
Цена по запросу
(от 215,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой N-канальный 55В 131A

Технические параметры

Brand:Infineon/IR
Fall Time:110 ns
Rise Time:190 ns
Вес, г597
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD²Pak
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IRF1405STRLPBF SP001571200
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:170 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:200 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage55 V
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:131 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:69 S
Maximum Continuous Drain Current131 A
Rds On - Drain-Source Resistance:5.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А131
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.3мОм

Техническая документация